碳化硅-工艺设备

首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做

以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备主要包括: 碳化硅粉料合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅（SiC）具有禁带宽、临界雪崩击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高、热导率高以及耐高温、抗辐照和耐腐蚀等特点，是制造高性能电力电子器件、大功率固体微波器件碳化硅晶体生长工艺及设备西安理工大学技术研究院

碳化硅行业发展及设备竞争格局解读交流工艺

碳化硅的工艺流程和硅的功率器件类似，所以国内很多的6寸线和4寸线基本都是用原来淘汰下来的硅的6寸线，需要增加一些碳化硅独有的工艺，如高温工艺：高温氧化、高温离SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）和超精密抛光（化学机械抛光）。 01 切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

晶体生长：为碳化硅衬底制造最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固气固反应）。在 2300°C 密闭、真空的生长腔室内加热碳化硅粉料，使其升华成反应气碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。碳化硅器件高端检测设备被国外所垄第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

晶体生长：为碳化硅衬底制造最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固气固反应）。在 2300°C 密闭、真空的生长腔室内加热碳化硅粉料，使其升华成反应气碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹

SiC行业深度报告：SiC全产业链拆解，新能源行业下一代

碳化硅外延设备：被海外四大企业垄断，瓶颈突破需重视与衬底环节所需“设备+长晶工艺”的 knowhow 不同，SiC 外延技术成熟度相对较高，该环节的更多壁垒来自于设备资本开支及对晶体生长：为碳化硅衬底制造最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固气固反应）。在 2300°C 密闭、真空的生长腔室内加热碳化硅粉料，使其升华成反应气体。再输运至籽晶处、在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。 2) 液相法，未来可能的工艺方向： PVT 方法的晶体生长过程中位错缺陷较难控制，液相法由于生长过程处于稳定的液相中，可生碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

碳化硅晶体生长工艺及设备西安理工大学技术研究院

碳化硅（SiC）具有禁带宽、临界雪崩击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高、热导率高以及耐高温、抗辐照和耐腐蚀等特点，是制造高性能电力电子器件、大功率固体微波器件和固体传感器等新型器件和耐高温集成电路的优选材料。项目组研制了具有自主知识产权的TDL25型4英寸碳化硅晶体生长设备，该设备采用感应加热方式，设有坩埚升降机构，可手动/自动调节晶体生长：为碳化硅衬底制造最核心工艺环节 1) 目前市场主流工艺为 PVT 气相传输法（固气固反应）。在 2300°C 密闭、真空的生长腔室内加热碳化硅粉料，使其升华成反应气体。再输运至籽晶处、在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。 2) 液相法，未来可能的工艺方向：PVT 方法的晶体生长过程中位错缺陷较难控制，液相法由于生长过程处于稳定的液相中，可碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

中国14个碳化硅衬底项目介绍|半导体|sic|单晶|半导体材料

中国碳化硅产业快速发展，14个衬底项目推进中第三代半导体论坛将于2020年9月89日厦门召开，将安排参观第三代半导体相关企业或园区。与会代表将获赠亚化咨询“中国第三代半导体产业发展”相关报告。碳化硅衬底主要有导电型及半绝缘型两种。包括晶圆、器件、工艺（溅射、光刻、刻蚀等等）有相关的文献推荐一下嘛？逆变器中碳化硅和硅对成本的影响对于SiC引入电动汽车的优势，意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部区域营销和应用副总裁Francesco Muggeri认为：“最重要的是SiC MOSFET在牵引逆变器方面的优势，且在电动汽车制造中碳化硅器件目前有什么生产难点？？知乎

碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹

碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。国外主要设备厂商包括Cree、Aymont等，国内主要设备厂商有北京天科合达半导体股份有限公碳化硅外延材料的主要设备，目前这个市场上主要有四家： 1、德国的Aixtron：特点是产能比较大； 2、意大利的LPE，属于单片机，生长速率非常大。 3、日本的TEL和Nuflare，其设备的价格非常昂贵，其次是双腔体，对提高产量有一定的作用。其中，Nuflare是最近几年推出来的一个非常有特点的设备，其能高速旋转，可以达到一分钟1000转，这对外延的均匀性是碳化硅产业链条核心：外延技术面包板社区

半导体设备用碳化硅制品厂商汉京半导体完成数千万元天使轮

本轮融资将主要用于半导体设备用碳化硅制品的研发投入、和设备采购等。辽宁汉京半导体材料有限公司（简称：汉京半导体）成立于2022年6月，是一家专业从事SiC（学名：碳化硅）烧结、CVD涂层、精加工生产、检验、销售为一体的高精端企业。汉京半导体技术人员凭借在半导体领域多年的深耕经历与经验和国际领先的技术工艺及生产设备，率先成为国内首家碳化硅耗材生产商。截至本年10月，汉京半导体已初步建成了以SiC Tube、SiC Boat、SiC Cap、SiC Fin、SiC Ring为主体的产品线，下一步将继续加大研发力度，满足半导体行业需求。汉京半导体完成数千万元天使轮融资，浙商创投投资|碳化硅

SiC行业深度报告：SiC全产业链拆解，新能源行业下一代

碳化硅外延设备：被海外四大企业垄断，瓶颈突破需重视与衬底环节所需“设备+长晶工艺”的 knowhow 不同，SiC 外延技术成熟度相对较高，该环节的更多壁垒来自于设备资本开支及对设备的工艺控制，目前全球主要有四家 CVD 设备玩家，其 SiC 外延设备中国碳化硅冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。中国碳化硅与世界先进水平的差距主要集中在四个方面：一是在生产过程中很少使用大型机械设备，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅产量较低；二是在碳化硅深加工产品上，对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细，产品质量的稳定性不够；三是某些尖端产品的性能指标碳化硅百度百科

第三代半导体重要材料碳化硅（SiC）国产化趋势分析：技术

晶盛机电研发的6英寸碳化硅外延设备，兼容4寸和6寸碳化硅外延生长。在客户处4寸工艺验证通过，正在进行6寸工艺验证。该设备为单片式设备，沉积速度达到50um/min，厚度均匀性＜1%，浓度均匀性＜15%，应用于新能源汽车、电力电子、微波射频等领域。公司开发的碳化硅外延设备。更好的消息失，其研发的8英寸硅外延炉已通过部分客户产品性能测试，技碳化硅微粉生产工艺流程如下所述：原料一破碎一雷蒙磨机一磁选一超声波筛分一质量检查一包装碳化硅微粉的生产通常会伴随着生产一部分磨料，先结合本拟建项目的产品大纲对该产品的生产工艺作简要的说明。 (1)原料绿碳化硅微粉生产采用较粗的绿碳化硅破碎而成，化学成分碳化硅应大于 99％，游离碳和氧化铁等都小于 0．2％。 (2)破碎把碳化硅砂破碎为微粉，国内目前采用碳化硅工艺过程百度文库

1碳化硅加工工艺流程pdf原创力文档

四、碳化硅产品加工工艺流程 1、制砂生产线设备组成制砂生产线由颚式破碎机、对辊破碎机、球磨机、清吹机、磁选机、振动筛和皮带机等设备组合而成。根据不同的工艺要求，各种型号的设备进行组合，满足客户的不同工艺要求。设备主要用于2″~6″硅片淀积Si3N4（氮化硅）、SiO2（氧化硅）、polySi（多晶硅）、PSG（磷硅玻璃）薄膜工艺。设备由计算机控制柜、净化工作台、加热炉柜、真空排气系统、气路系统、源瓶柜等组成。主要特点： 1采用PC总线工业控制系统对温度及工艺过程进行自动控制，可按工艺需要编制工艺程序，完成工艺控制，自动化程度高； 2反应室压力采用闭环控碳化硅炉管，半导体FAB专用

关于碳化硅，把我知道的都告诉你新浪网

硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HTCVD，且价格非常贵，基本要8001500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片。外延炉主要是国外的爱思强，意大利的LPE（被ASM收购），日本的TEL，Nuflare。国内有不少公司干这个，类似北方华创，中微，以及一些小公中国碳化硅产业快速发展，14个衬底项目推进中第三代半导体论坛将于2020年9月89日厦门召开，将安排参观第三代半导体相关企业或园区。与会代表将获赠亚化咨询“中国第三代半导体产业发展”相关报告。碳化硅衬底主要有导电型及半绝缘型两种。中国14个碳化硅衬底项目介绍|半导体|sic|单晶|半导体材料

我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎

因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。比如，当前主流的生产工艺是什么？优缺第二个应用是中低压输配电，为了提高效率，需要利用SiC器件实现中低压输电，一般采用MMC结构。碳化硅外延设备：被海外四大企业垄断，瓶颈突破需重视与衬底环节所需“设备+长晶工艺”的 knowhow 不同，SiC 外延技术成熟度相对较高，该环节的更多壁垒来自于设备资本开支及对设备的工艺控制，目前全球主要有四家 CVD 设备玩家，其 SiC 外延设备SiC行业深度报告：SiC全产业链拆解，新能源行业下一代

应用领域

应用范围：砂石料场、矿山开采、煤矿开采、混凝土搅拌站、干粉砂浆、电厂脱硫、石英砂等
物料：河卵石、花岗岩、玄武岩、铁矿石、石灰石、石英石、辉绿岩、铁矿、金矿、铜矿等